Barrier potential internal or space charge in semiconductors zone
Por Heber Gabriel Pico Jiménez MD
Resumen
En este trabajo gracias a la nueva regla del octeto se logra describir el origen electrónico de la zona de carga espacial que se forma en las uniones PN de los semiconductores. Se demuestra que así como hay en la unión PN, la fuga automática de electrones desde un lado hacia el otro de la interfaz, también existe la llegada de huecos como partículas desde el lado contrario y de forma compensatoria. Por cada electrón que cruce los límites de la unión PN, siempre llega un hueco a ocupar su lugar. Por cada enlace de tres electrones que destruya un átomo dopante tipo N, forma un enlace covalente solidario que costa de dos electrones y dos huecos. Lo contrario, por cada enlace de un solo electrón que destruya un electrón en el átomo dopante tipo P, forma también un enlace covalente solidario.
Este trabajo llega a la siguiente sorprendente Conclusión: Unos de los dos bornes de una batería, no solo abastecen de electrones a un circuito, sino que además de regreso recibe a los huecos que le llegan como partículas procedentes del respectivo circuito. El otro borne de dicha batería, no solo recibe a los electrones que le llegan procedentes del circuito, sino que además abastece de huecos al circuito conectado.
Finalmente este trabajo persiste en proponer que se hagan uniones PN con silicio dopado por los elementos del grupo del oxígeno, flúor, alcalinoterreos y alcalinos. Surgirían así uniones PN más seguras por tener mayor barrera interna de potencial y por lo tanto con menos probabilidad de presentar corrientes inversas de saturación.
Palabras claves: Células Fotoeléctricas, Células Fotovoltaicas.
Abstract
In this work thanks to the new rule of byte is accomplished describe the electronic origin in the area of space charge formed on semiconductor PN unions. It shows that as well as in the union PN, the automatic escape of electrons from one side to the other of the interface, there is also the arrival of gaps as particles from the opposite side and in a compensatory manner. By each electron that crosses the boundaries of the union PN, always becomes a hollow to take its place. For each link of three electrons that destroys an Atom N-type dopant, forms a covalent solidarity coast of two electrons and two holes. Otherwise, for each link a single electron that destroys an electron in the P-type dopant Atom is also a solidarity covalent bond. This work will reach the following surprising Conclusion: one of the two terminals of a battery, not only supply of electrons to a circuit, but in addition to return received at the holes that come as particles from the circuit. The other terminal of the battery, not only receives the electrons that come from the circuit, but it also supplies holes to the connected circuit. Finally this work persists in proposing to make PN junctions with Silicon doped by oxygen, fluorine, and alcalinoterreos group elements and alkaline. PN junctions safer by having higher internal barrier potential and therefore less likely to introduce reverse saturation current would arise.
Keywords: Photoelectric cells, photovoltaic cells.
1. Introducción
Precisamos que todo el desarrollo de este artículo, estará siempre sostenido en el principio de que químicamente los electrones por lo general, estarán casi siempre apareados. Bajo este principio se desarrollan los anteriores trabajos de energía atómica Número cuántico magnético del electrón, el trabajo de la superconductividad, el artículo del acoplamiento espín-órbita del electrón, además el anterior trabajo de Semiconductores y el de Células fotoeléctricas publicado en textoscientificos y Monografías. También este artículo se basa en la nueva regla del octeto.
En la molécula de monóxido de carbono el átomo de carbono se comporta como un nucleófilo rico en electrones es decir como un carbanión.
Este trabajo está basado en el del estado fundamental del átomo y los enlaces hipervalentes.
Dentro los trabajos anteriores también está el ácido fluoroantimónico.
Este artículo sustenta el origen de la barrera interna de potencial que se origina en las uniones PN, lo sustenta en base a la nueva regla del octeto que utiliza al hueco como partícula subatómica y extiende su explicación, a los dopajes del silicio con elementos del grupo del oxígeno, el flúor, los alcalinotérreos y los alcalinos.
2. Desarrollo del Tema.
Como todos estos trabajos han sido para sustentar la hipótesis de que así como suceden dopajes tipo N5P3 también se pueden fabricar uniones PN más eficientes como las uniones P6N2 y N7P1.
BARRERA INTERNA de POTENCIAL en la UNIÓN PN TIPO N5P3.
La unión PN tipo N5P3 es aquella que está formada por el dopaje tipo N del silicio que es el fósforo y el dopante tipo P del silicio que es el boro.
La siguiente figura es de la unión PN de un cristal de silicio con dopaje tipo N con fósforo y un cristal de silicio con dopaje tipo P con boro.
El átomo de fósforo configura a tres enlaces covalentes compartidos que respetan la carga eléctrica y un enlace de tres (3) electrones con uno de los silicios adyacentes.
El átomo de boro igual que el fósforo, configura tres enlaces covalentes pero forma un enlace de un solo electrón con uno de los silicios adyacentes.
Si representa a los átomos de silicio. B representa al átomo dopante de boro. P representa al átomo dopante de fósforo. Los pequeños círculos rellenos de colores corresponden a los electrones de valencia del átomo que tiene su mismo color. Los pequeños círculos vacíos corresponden a los huecos de valencia del átomo que tiene su mismo color de línea.
Figura No.1.
En esta figura anterior, en el dopaje de la izquierda el átomo de boro, partiendo de la nueva regla del octeto que postula a los huecos como partículas, tiene una carga eléctrica de +5 mientras en el dopaje de la derecha el átomo de fósforo, tiene una carga eléctrica de +3 tal como se representa en la siguiente figura.
Si representa a los átomos de silicio. +5 representa la carga eléctrica del átomo dopante de boro. +3 representa la carga eléctrica del átomo dopante de fósforo. Los pequeños círculos rellenos de colores corresponden a los electrones de valencia del átomo que tiene su mismo color. Los pequeños círculos vacíos corresponden a los huecos de valencia del átomo que tiene su mismo color de línea.
Figura No.2.
En la figura anterior se puede ver que se levanta un campo eléctrico entre el fósforo y el boro.
Ahora, como el átomo de fósforo tiene un enlace de 3 electrones con uno de los átomos de silicios vecinos, por eso la carga eléctrica de estos y el fósforo se alteran.
De manera inversa le sucede al boro en el otro dopaje, con un enlace de un solo electrón.
Este proceso de los dos dopajes en la carga eléctrica, se ilustra en la siguiente figura:
Si representa a los átomos de silicio. +4 representa la carga eléctrica adquirida por el átomo de boro. +4 también representa al átomo de fósforo. +5 representa la carga eléctrica del átomo de silicio unido al boro por un enlace de un solo electrón. +3 representa la carga eléctrica del átomo de silicio unido al fósforo por enlace de 3 electrones. Los pequeños círculos rellenos de colores corresponden a los electrones de valencia del átomo que tiene su mismo color. Los pequeños círculos vacíos corresponden a los huecos de valencia del átomo que tiene su mismo color de línea.
Figura No.3.
Es decir que si le anotáramos todas las cargas eléctricas de todos los átomos que forman la unión, quedaría de la siguiente manera:
+4 representa la carga eléctrica de los átomos de silicio. +4 representa la carga eléctrica adquirida por el átomo de boro. +4 también representa al átomo de fósforo. +5 representa la carga eléctrica del átomo de silicio unido al boro por un enlace de un solo electrón. +3 representa la carga eléctrica del átomo de silicio unido al fósforo por enlace de 3 electrones. Los pequeños círculos rellenos de colores corresponden a los electrones de valencia del átomo que tiene su mismo color. Los pequeños círculos vacíos corresponden a los huecos de valencia del átomo que tiene su mismo color de línea.
Figura No.4.
Nótese que se genera una diferencia de potencial entre un silicio con carga eléctrica de +3 en el dopaje tipo N, con un silicio de carga eléctrica de +5 en el dopaje tipo P.
Queremos hacer la salvedad de que los átomos de silicio con cargas eléctricas distintas no son átomos de superficie, sino que han quedado aparentemente superficiales en la figura por simple falta de espacio.
Los átomos de boro y fósforo quedan como reservas de los enlaces de uno y tres electrones, que son quienes mantienen el sentido de la diferencia de potencial.
Al unir los cristales de silicio con dopaje tipo N con el dopaje tipo P, se efectúa el movimiento de un electrón desde el Fósforo del cristal N al silicio +3 del mismo cristal N. Este fósforo para no violar la nueva regla del octeto cambia al electrón por un hueco que se lo cede el mismo silicio +3.
Apenas ocurre esto el silicio recupera su carga eléctrica original de +4 igual que el resto de silicios, mientras el fosforo queda directamente con la carga eléctrica de +5.
Cuando el silicio le recibe ese electrón al fósforo, tampoco se queda con él y se lo cambia por un hueco a otro silicio que esté más cerca de la unión PN.
De esa manera llega el momento que el electrón salta hacia un lado o hacia la izquierda de la figura, mientras también lo hace un hueco en sentido inverso.
Ese electrón llega intercambiado por huecos al primer silicio que encuentra del lado del cristal tipo P y finalmente, llega al silicio que tiene carga eléctrica de +5, de allí se dirige al átomo de boro y destruye al enlace de un electrón.
+4 representa la carga eléctrica de los átomos de silicio. +3 representa la carga eléctrica adquirida por el átomo de boro. +5 representa la carga eléctrica del átomo de fósforo. Los pequeños círculos rellenos de colores corresponden a los electrones de valencia del átomo que tiene su mismo color. Los pequeños círculos vacíos corresponden a los huecos de valencia del átomo que tiene su mismo color de línea.
Figura No.5.
Se puede notar que se forma una diferencia de potencial que es la barreara interna de potencia y es igual a la carga inicial pero en sentido contrario y además, han desaparecido los enlaces de uno y tres electrones que eran los que propiciaban la diferencia de potencial contraria.
BARRERA INTERNA de POTENCIAL en la UNIÓN PN TIPO N6P2.
La unión PN tipo N6P2 es aquella que está formada con el dopaje tipo N del silicio por un elemento del grupo del berilio, enfrente del dopaje tipo P del silicio dopado por un elemento del grupo del azufre.
La siguiente figura es de la unión PN de un cristal de silicio con dopaje tipo N con azufre y un cristal de silicio con dopaje tipo P con berilio.
El átomo de azufre configura a dos enlaces covalentes compartidos que respetan a la carga eléctrica, y dos enlaces de tres (3) electrones que no respetan la carga eléctrica con cada uno de dos silicios adyacentes.
El átomo de berilio igual que el azufre, configura dos enlaces covalentes compartidos que respetan a la carga eléctrica, pero también forma dos enlaces de un solo electrón con cada uno de dos silicios adyacentes.
Si representa al átomo de silicio. Be representa al átomo dopante tipo P de berilio. S representa al átomo dopante tipo N de azufre. Los pequeños círculos rellenos de colores corresponden a los electrones de valencia del átomo que tiene su mismo color. Los pequeños círculos vacíos corresponden a los huecos de valencia del átomo que tiene su mismo color de línea.
Figura No.6.
En esta figura anterior, en el dopaje de la izquierda el átomo de berilio tiene una carga eléctrica de +6 mientras, en el dopaje de la derecha el átomo de azufre tiene una carga eléctrica de +2 tal como se representa en la siguiente figura.
Si representa a los átomos de silicio. +6 representa la carga eléctrica del átomo dopante de berilio. +2 representa la carga eléctrica del átomo dopante de azufre. Los pequeños círculos rellenos de colores corresponden a los electrones de valencia del átomo que tiene su mismo color. Los pequeños círculos vacíos corresponden a los huecos de valencia del átomo que tiene su mismo color de línea.
Figura No.7.
En la figura anterior se puede ver que se levanta un campo eléctrico entre el azufre y el berilio.
Ahora, como el átomo de azufre tiene dos enlaces de 3 electrones con dos átomos de silicios vecinos, la carga eléctrica de este y los vacios se alteran.
De manera inversa le sucede al berilio en el otro dopaje, con dos enlaces de un solo electrón.
Este proceso de los dos dopajes, se ilustra en la siguiente figura:
Si representa a los átomos de silicio. +4 representa la carga eléctrica adquirida por el átomo dopante de berilio. +4 también representa al átomo dopante de azufre. +5 representa las cargas eléctricas de los dos átomos de silicio unidos al berilio por enlaces de un solo electrón. +3 representa a la carga eléctrica de los dos átomos de silicio unidos al azufre por enlaces de 3 electrones. Los pequeños círculos rellenos de colores corresponden a los electrones de valencia del átomo que tiene su mismo color. Los pequeños círculos vacíos corresponden a los huecos de valencia del átomo que tiene su mismo color de línea.
Figura No.8.
Es decir que si le anotáramos todas las cargas eléctricas de todos los átomos que forman la unión, quedaría de la siguiente manera:
+4 representa la carga eléctrica de los átomos de silicio. +4 representa la carga eléctrica adquirida por el átomo de berilio. +4 también representa al átomo de azufre. +5 representa la carga eléctrica de los dos átomos de silicio unidos al berilio por dos enlaces de un solo electrón. +3 representa la carga eléctrica de los dos átomos de silicio unidos al azufre por enlaces de 3 electrones. Los pequeños círculos rellenos de colores corresponden a los electrones de valencia del átomo que tiene su mismo color. Los pequeños círculos vacíos corresponden a los huecos de valencia del átomo que tiene su mismo color de línea.
Figura No.9.
Nótese que se genera una diferencia de potencial entre dos átomos de silicios con cargas eléctricas de +3 en el dopaje tipo N, con dos silicios de cargas eléctricas de +5 en el dopaje tipo P.
Queremos hacer la salvedad de que los átomos de silicio con cargas eléctricas distintas no son átomos de superficie, sino que han quedado aparentemente superficiales en la figura por simple falta de espacio.
Los átomos de berilio y azufre quedan como reservas para conservar a los enlaces de uno y tres electrones, que son quienes mantienen el sentido de la diferencia de potencial.
Al unir los cristales de silicio con dopaje tipo N con el dopaje tipo P, se efectúa el movimiento por caminos distintos de dos electrones desde el azufre del cristal N, al silicio +3 del mismo cristal N. Este azufre para no violar la nueva regla del octeto cambia a cada electrón por un hueco determinado que se lo cede a cambio con el mismo silicio +3.
Apenas ocurre esto el silicio recupera su carga eléctrica original de +4 igual que el resto de silicios, mientras el azufre queda directamente con la carga eléctrica de +6.
Cuando el silicio le recibe ese electrón al azufre, tampoco se queda con él y se lo cambia por un hueco a otro silicio que esté más cerca de la unión PN.
De esa manera llega el momento que cada electrón salta hacia un lado o hacia el otro lado de la izquierda de la figura, mientras por cada electrón también lo hace un hueco en sentido inverso.
Ese electrón llega intercambiado por huecos al primer silicio que encuentra del lado del cristal tipo P y finalmente, llega al silicio que tiene carga eléctrica de +5, de allí se dirige al átomo de berilio y destruye al enlace de un electrón.
+4 representa la carga eléctrica de los átomos de silicio. +2 representa la carga eléctrica adquirida por el átomo de berilio. +6 representa la carga eléctrica del átomo de azufre. Los pequeños círculos rellenos de colores corresponden a los electrones de valencia del átomo que tiene su mismo color. Los pequeños círculos vacíos corresponden a los huecos de valencia del átomo que tiene su mismo color de línea.
Figura No.10.
Se puede notar que se forma una diferencia de potencial final que es la barrea interna de potencial, es de mayor magnitud que la anterior del boro con el fósforo pero es igual a la inicial pero en sentido contrario y además, han desaparecido los enlaces de uno y tres electrones que eran los que propiciaban la diferencia de potencial contraria.
Si representa a los átomos de silicio. Be representa al átomo de berilio. S representa al átomo de azufre. Los pequeños círculos rellenos de colores corresponden a los electrones de valencia del átomo que tiene su mismo color. Los pequeños círculos vacíos corresponden a los huecos de valencia del átomo que tiene su mismo color de línea.
Figura No.11.
BARRERA INTERNA de POTENCIAL en la UNIÓN PN TIPO N7P1.
La unión PN tipo N7P1 es aquella que está formada con el dopaje tipo N del silicio con un elemento del grupo del Litio, enfrente del dopaje tipo P del silicio con un elemento del grupo del Flúor.
La siguiente figura es de la unión PN de un cristal de silicio con dopaje tipo N con flúor y un cristal de silicio con dopaje tipo P con litio.
El átomo de flúor configura en el dopaje a un solo enlace covalente compartido que respeta la carga eléctrica, y tres enlaces de tres (3) electrones que no respetan la carga eléctrica con cada uno de dos silicios adyacentes.
El átomo de litio igual que el flúor, configura a un solo enlace covalente compartido pero también forma tres enlaces de un solo electrón con cada uno de tres silicios adyacentes.
Si representa al átomo de silicio. Li representa al átomo dopante tipo P de litio. F representa al átomo dopante tipo N de flúor. Los pequeños círculos rellenos de colores corresponden a los electrones de valencia del átomo que tiene su mismo color. Los pequeños círculos vacíos corresponden a los huecos como partículas de valencia del átomo que tiene su mismo color de línea.
Figura No.12.
En la figura el único enlace covalente compartido que respeta a la carga eléctrica de los átomos que lo configuran, está ubicado en los silicios mediales ubicados entre los átomos de litio y flúor.
En esta figura anterior, en el dopaje de la izquierda el átomo de litio, tiene una carga eléctrica de +7 mientras, en el dopaje de la derecha el átomo de flúor tiene una carga eléctrica de +3 tal como se representa en la siguiente figura.
Si representa a los átomos de silicio. +7 representa la carga eléctrica del átomo dopante de litio. +1 representa la carga eléctrica del átomo dopante de flúor. Los pequeños círculos rellenos de colores corresponden a los electrones de valencia del átomo que tiene su mismo color. Los pequeños círculos vacíos corresponden a los huecos de valencia del átomo que tiene su mismo color de línea.
Figura No.13.
En la figura anterior se puede ver que se levanta un campo eléctrico entre el Flúor y el litio.
Ahora, como el átomo de flúor tiene tres enlaces de 3 electrones con átomos de silicios vecinos, la carga eléctrica de estos y el fósforo se alteran.
De manera inversa le sucede al litio en el otro dopaje, con tres enlaces de un solo electrón.
Este proceso de los dos dopajes, se ilustra en la siguiente figura:
Si representa a los átomos de silicio. +4 representa la carga eléctrica adquirida por el átomo de litio. +4 también representa al átomo de flúor. +5 representa la carga eléctrica del átomo de silicio unido al litio por un enlace de un solo electrón. +3 representa la carga eléctrica del átomo de silicio unido al flúor por enlace de 3 electrones. Los pequeños círculos rellenos de colores corresponden a los electrones de valencia del átomo que tiene su mismo color. Los pequeños círculos vacíos corresponden a los huecos de valencia del átomo que tiene su mismo color de línea.
Figura No.14.
Es decir que si le anotáramos todas las cargas eléctricas de todos los átomos que forman la unión, quedaría de la siguiente manera:
+4 representa la carga eléctrica de los átomos de silicio. +4 representa la carga eléctrica adquirida por el átomo de litio. +4 también representa al átomo de flúor. +5 representa la carga eléctrica del átomo de silicio unido al litio por un enlace de un solo electrón. +3 representa la carga eléctrica del átomo de silicio unido al flúor por enlace de 3 electrones. Los pequeños círculos rellenos de colores corresponden a los electrones de valencia del átomo que tiene su mismo color. Los pequeños círculos vacíos corresponden a los huecos de valencia del átomo que tiene su mismo color de línea.
Figura No.15.
Nótese que se genera una diferencia de potencial entre tres silicios con carga eléctrica de +3 en el dopaje tipo N, con tres silicios de carga eléctrica de +5 en el dopaje tipo P.
Queremos hacer la salvedad de que los átomos de silicio con cargas eléctricas distintas no son átomos de superficie, sino que han quedado aparentemente superficiales en la figura por simple falta de espacio.
Los átomos de litio y flúor quedan como reservas de los enlaces de uno y tres electrones, que son quienes mantienen el sentido de la diferencia de potencial.
Al unir los cristales de silicio con dopaje tipo N con el dopaje tipo P, se efectúa el movimiento de tres electrones desde el Flúor del cristal N a los silicios +3 del mismo cristal N. Este flúor para no violar la nueva regla del octeto cambia a cada electrón por un hueco que se lo cede el mismo silicio +3.
Apenas ocurre esto cada silicio recupera su carga eléctrica original de +4 igual que el resto de silicios, mientras el flúor queda directamente con la carga eléctrica de +7.
Cuando el silicio le recibe ese electrón al flúor, tampoco se queda con él y se lo cambia por un hueco a otro silicio que esté más cerca de la unión PN.
De esa manera llega el momento que el electrón salta hacia un lado o hacia la izquierda de la figura, mientras también lo hace un hueco en sentido inverso.
Ese electrón llega intercambiado por huecos al primer silicio que encuentra del lado del cristal tipo P y finalmente, llega al silicio que tiene carga eléctrica de +5, de allí se dirige al átomo de litio y destruye al enlace de un electrón.
Esos tres electrones llegan al átomo de litio quienes los intercambian por huecos y l litio se queda con la carga eléctrica de +1.
+4 representa la carga eléctrica de los átomos de silicio. +1 representa la carga eléctrica adquirida por el átomo de litio. +7 representa la carga eléctrica del átomo de flúor. Los pequeños círculos rellenos de colores corresponden a los electrones de valencia del átomo que tiene su mismo color. Los pequeños círculos vacíos corresponden a los huecos de valencia del átomo que tiene su mismo color de línea.
Figura No.16.
Si representa a los átomos de silicio. Li representa al átomo dopante de litio. F representa al átomo dopante de flúor. Los pequeños círculos rellenos de colores corresponden a los electrones de valencia del átomo que tiene su mismo color. Los pequeños círculos vacíos corresponden a los huecos de valencia del átomo que tiene su mismo color de línea.
Figura No.17.
Se puede notar que la diferencia de potencial de la figura anterior es la barrera interna de potencial que es igual a la inicial pero en sentido contrario y además, han desaparecido los enlaces de uno y tres electrones que eran los que propiciaban la diferencia de potencial contraria.
3- Conclusiones:
a)- LA PRIMERA GRAN CONCLUSIÓN de este trabajo es que cuando se hace la polarización inversa de la unión PN, que es precisamente cuando aumenta la zona de carga espacial, como el polo negativo de la batería se conecta a la zona P, extremo de la batería que no solo cede electrones libres a los átomos de la zona P que soportan enlaces de un solo electrón, enlaces que son deficientes en electrones, sino que también atrae y recibe a cambio a los huecos excesivos como partículas, para que retornen a la batería y eso átomos de la zona P puedan configurar a los 4 enlaces covalentes compartidos con 4 átomos de silicio que le brindan mayor estabilidad a los enlaces.
b)- LA SEGUNDA GRAN CONCLUSIÓN de este trabajo es que cuando se hace la polarización inversa de la unión PN, que es cuando aumenta la barrera interna de potencial, como el polo positivo de la batería está conectado a la zona N, extremo que no solo atrae y recibe a los electrones excesivos de los átomos que soportan enlaces de tres electrones, sino que también les suministra los huecos necesarios como partículas, para que esos mismos átomos configuren los 4 enlaces covalentes compartidos con 4 átomos de silicio que le originan mayor estabilidad a los enlaces.
c)- LA TERCERA GRAN CONCLUSIÓN de este trabajo es la demostración de que cuando se forma la unión PN, equilibradamente ocurre algo similar o lo que es lo mismo, a que cada uno de los cristales por un extremo distinto se conectara a baterías mutuales.
d)- LA CUARTA GRAN CONCLUSIÓN de este trabajo es la demostración de que cuando se unen dos cristales de silicio dopados el uno con boro y el otro con fósforo, además de difundirse electrones desde el cristal N hacia el cristal P, además de eso buscando equilibrio en la interfaz también se difunden de manera contraria los huecos como partículas procedentes desde el cristal P hacía el cristal N.
e)- LA QUINTA GRAN CONCLUSIÓN de este trabajo es que cuando la unión PN se conecta a una batería de manera directa, disminuyendo así a la barrera interna de potencial y permitiendo el paso de electrones a través de la unión, dichos electrones no pasan en sí por los átomos dopantes ya que circulan es a través de los átomos de silicios cargados eléctricamente.
f)- LA SEXTA GRAN CONCLUSIÓN es que cuando existe la unión entre el cristal de silicio dopado con boro y fósforo, los electrones que pasan del cristal N al cristal P se ubican directamente enlazando al boro con quien queda con carga eléctrica fija y contraria, mientras los huecos que traspasan del cristal P al N, se ubican enlazando al fósforo quien queda con carga eléctrica también fija y contraria.
g)- LA SEPTIMA GRAN CONCLUSIÓN de este trabajo es que cuando se fabrica una unión PN, con los cristales de silicio dopados con elementos del grupo del azufre con el berilio, u dopados con elementos del grupo de los halógenos con los alcalinos, so diseñan uniones PN de más potencia y más seguras porque tienen una barrera interna de potencial de mayor intensidad y con menor corriente inversa de saturación.
h)- LA OCTAVA GRAN CONCLUSIÓN de este trabajo es que en un circuito eléctrico completo los electrones circulan en un sentido, mientras los huecos como partículas subatómicas lo hacen en sentido contrario. Por esta razón la polarización directa de la unión PN con una batería, disminuye la barrera de potencial que se ha creado en la zona de carga espacial, permitiendo tras esto el paso de la corriente eléctrica a través de la unión. Esta es la misma razón por la cual la polarización indirecta por el contrario, lo que hace es aumentar la barrera de la zona de carga espacial.
4- Referencias
REFERENCIAS DEL ARTÍCULO.
[1] Ácido Fluoroantimónico.
[2] Ácido Fluoroantimónico.
[3] Dióxido de cloro
[4] Dióxido de cloro
[5] Pentafluoruro de Antimonio
[6] Pentafluoruro de Antimonio
[7] Tetróxido de Osmio
[8] Enlaces Hipervalentes
[9] Enlaces en moléculas Hipervalentes
[10]Nueva regla del octeto
[11]Estado fundamental del átomo
[12]Estado fundamental del átomo
[13]Barrera rotacional del etano.
[14]Enlaces de uno y tres electrones.
[15]Enlaces de uno y tres electrones.
[16]Origen de la barrera rotacional del etano
[17]Monóxido de Carbono
[18]Nueva regla fisicoquímica del octeto
[19]Células fotoeléctricas Monografías.
[20]Células Fotoeléctricas textoscientificos.
[21]Semiconductores Monografías.
[22]Semiconductores textoscientificos.
[23]Superconductividad.
[24]Superconductividad.
[25]Alotropía.
[26]Alotropía del Carbono.
[27]Alotropía del Oxigeno.
[28]Ozono.
[29]Diborano
[30]Semiconductores y temperatura.
REFERENCIAS DE LA TEORÍA
[1] Número cuántico magnético.
[2] Ángulo cuántico
[3] Paul Dirac y Nosotros
[4] Numero cuántico Azimutal monografias
[5] Numero cuántico Azimutal textoscientificos
[6] Inflación Cuántica textos científicos.
[7] Números cuánticos textoscientíficos.com.
[8] Inflación Cuántica Monografías
[9] Orbital Atómico
[10] Números Cuánticos.
[11] Átomo de Bohr.
[12] Líneas de Balmer.
[13] Constante Rydberg.
[14] Dilatación gravitacional del tiempo.
[15] Número Cuántico magnético.
[16] Numero Cuántico Azimutal.
Copyright © Derechos Reservados.
Heber Gabriel Pico Jiménez MD. Médico Cirujano 1985 de la Universidad de Cartagena Colombia. Investigador independiente de problemas biofísicos médicos propios de la memoria, el aprendizaje y otros entre ellos la enfermedad de Alzheimer.
Estos trabajos, que lo más probable es que estén desfasados por la poderosa magia secreta que tiene la ignorancia y la ingenuidad, sin embargo, como cualquier representante de la comunidad académica que soy, también han sido debidamente presentados sobretodo este se presentó el 20 de Octubre del 2013 en la “Academia Colombiana de Ciencias Exactas, Físicas y Naturales” ACCEFYN.